摘要
应用Auger电子能谱(AES),X射线光电子能谱(XPS)和程序升温热脱附谱(TDS)研究了SmOx/Rh(100)模型表面的制备及CO在该表面的吸附.Sm和氧的强亲合作用引起了Sm在表面的强烈偏析.氧化表面的高温热处理,导致 SmOx在 Rh(100)表面的进一步聚集.与 120K吸附在清洁 Rh(100)表面的CO的热脱附谱相比较,吸附在 SmOx/Rh(100)表面的 CO的热脱附谱中在 176,331和 600 K出现了新的脱附峰.其中位于 176 K的脱附峰可归属于吸附在 SmOx岛上的 CO的脱附,而位于 331,600 K的脱附峰的出现与表面Sm原子的氧化程度有关,可分别归属为吸附在富氧和贫氧SmOx岛周边界面Rh原子上的CO的脱附.
出处
《科学通报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002年第6期415-417,共3页
Chinese Science Bulletin
基金
本工作为国家自然科学基金(批准号:29873042)
催化基础重点实验室基金资助项目。