过渡金属Ag、Ir和Re搀杂硅半导体团簇的电子结构和性质的理论研究被引量：1

Theoretical Investigation on Electronic Structures and Properties of Transition Metal Ag, Ir and Re Doping into Si Clusters

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摘要半导体团簇由于其在微电子工业的应用倍受人们关注;而过渡金属搀杂在半导体Si和Ge材料形成不同于原来材料性质的新材料,因此引起了物理化学界的广泛关注和兴趣[1-9].

作者韩聚广张鹏飞

机构地区中国科学技术大学国家同步辐射实验室

出处《科学技术与工程》 2003年第3期310-311,共2页 Science Technology and Engineering

基金国家自然科学基金(20173055)

关键词硅半导体团簇电子结构电荷转移微观机制稳定性过渡金属 AG IR RE 搀杂

分类号 TN304.12 [电子电信—物理电子学] O47 [理学—半导体物理]

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科学技术与工程

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