生长前预刻蚀对4H-SiC衬底表面形貌的影响

本文采用原子力显微镜对不同生长前预刻蚀条件下的4H-SiC衬底的表面形貌进行检测和研究。检测结果表明刻蚀时间的长短和刻蚀温度的不同对衬底表面形貌会有不同的影响,通过对刻蚀时间和刻蚀温度的对比研究,找到了最优的刻蚀条件。采用该刻蚀条件进行外延生长,获得了极低的表面缺陷和较好的表面粗糙度,表明该刻蚀条件的有效性。