摘要
基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今日宣布推出其首款碳化硅(SiC)MOSFET,并发布两款采用3引脚TO-247封装的1200 V分立器件,RDS(on)分别为40 mΩ和80 mΩ。NSF040120L3A0和NSF080120L3A0是Nexperia SiC MOSFET产品组合中首批发布的产品,随后Nexperia将持续扩大产品阵容,推出多款具有不同RDS(on)的器件,并提供通孔封装和表面贴装封装供选择。这次推出的两款器件可用性高,可满足电动汽车(EV)充电桩、不间断电源(UPS)以及太阳能和储能系统(ESS)逆变器等汽车和工业应用对高性能SiC MOSFET的需求。
出处
《世界电子元器件》
2023年第12期33-33,共1页
Global Electronics China
