了解MOSFET通态漏源电阻

分立MOSFET数据表中重要的规格之一是漏源通态电阻,缩写为RDS(on)。这个RDS(on)想法看起来非常简单:当FET处于截止状态时,源极和漏极之间的电阻非常高,以至于我们假设电流为零。当FET的栅源电压(V GS)超过阈值电压(V TH)时,它处于“导通状态”,漏极和源极通过电阻等于RDS(on)的沟道连接。然而,如果您熟悉MOSFET的实际电气行为,您应该很容易认识到该模型与事实不符。