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安森美下一代1200 V EliteSiC M3S器件提高电动汽车和能源基础设施应用的能效

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摘要 全新产品系列包括快速开关MOSFET和半桥功率集成模块,具备领先行业的每开关超低导通电阻Rds(on),采用行业标准封装智能电源和智能感知技术的领导者安森美(onsemi,美国纳斯达克上市代号:ON),推出最新一代1200 V Elite SiC碳化硅(SiC)M3S器件,助力电力电子工程师实现更出色的能效和更低系统成本。全新产品系列包括有助于提高开关速度的Elite SiC MOSFET和模块,以适配越来越多的800 V电动汽车(EV)车载充电器(OBC)和电动汽车直流快充、太阳能方案以及能源储存等能源基础设施应用。
出处 《世界电子元器件》 2023年第6期51-51,共1页 Global Electronics China
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