英飞凌推出D2PAK封装的650 V CoolSiCTM MOSFET

在数字化、城市化和电动汽车等大趋势的推动下,电力消耗日益增加。与此同时,提升能源效率的重要性也在与日俱增。为了顺应当下全球发展大势并满足相关市场需求,英飞凌科技股份公司推出了650 V CoolSiCTM MOSFET系列新产品。该产品具有高可靠性、易用性和经济实用等特点,能够提供卓越的性能。这些SiC器件采用了英飞凌先进的SiC沟槽工艺、紧凑的D2PAK表面贴装7引脚封装和.XT互连技术,广泛适用于大功率应用,包括服务器、电信设备、工业SMPS、电动汽车快速充电、电机驱动、太阳能系统、储能系统和电池化成等。