适用于工业应用的NAND闪存

伪SLC如何兼顾耐用性和经济性?如今,在NAND闪存行业中,随处可见存储密度又达到新高的各种新闻。闪存早已实现了100层以上的技术,并且在短期内似乎并没有遇到瓶颈的迹象。目前的趋势是随着层数稳步提高的同时在每个单元中存储更多位元。目前的主流技术是TLC(三层单元,Triple Level Cell),每个单元存储3位元,其中的"层"指的是比特数,而不是内部状态。需要存储和读取的内部状态的数量是存储的位元数的2次方——3位就意味着需要识别8种不同的状态。目前的趋势是通过QLC技术(四层单元,每单元4位元)在相同尺寸的芯片中实现更大的存储容量。QLC具有16个状态,因此实现起来并不轻松。