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Infineon IGOT60R070D1 600 V增强GaN功率晶体管应用方案

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摘要 Infineon公司的IGOT60R070D1是Cool Ga NTM600 V增强氮化镓(Ga N)高电子迁移率晶体管(HEMT),具有最高质量的最高的效率和功率密度.增强模式晶体管通常处于开关态(OFF),具有超快开关速度,没有反向恢复的电荷,并能反向导通.器件具有低栅极电荷,低输出电荷,以及优越的换向坚固性,工业应用具有JEDEC标准资质(JESD47和JESD22).IGOT60R070D1能改善系统效率,提高功率密度.
出处 《世界电子元器件》 2020年第12期34-37,共4页 Global Electronics China
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