摘要
宽禁带材料实现了较当前硅基技术的飞跃。它们的大带隙导致较高的介电击穿,从而降低了导通电阻(RSP)。更高的电子饱和速度支持高频设计和工作,降低的漏电流和更好的导热性有助于高温下的工作。安森美半导体提供围绕宽禁带方案的独一无二的生态系统,包含从旨在提高强固性和速度的碳化硅(SiC)二极管、SiC MOSFET到SiC MOSFET的高端IC门极驱动器。除了硬件以外,我们还提供spice物理模型.
出处
《世界电子元器件》
2020年第8期18-21,共4页
Global Electronics China
