摘要
采用直流磁控溅射方法,保持Ar气流量不变,控制O2气在Ar气与O2气混合气体在Ar/O2=30sccm/90sccm的情况下,采用STO(100)单晶基片制备了FNO薄膜。利用XRD和VSM等测试手段,对STO(100)单晶基片生长的不同基片温度FNO薄膜的结构及磁学性能进行表征。测试结果表明,在STO(100)单晶基片上不同基片温度得到了NiFe2O4薄膜,随着基片的温度增大,样品的矫顽力Hc先增大后减小,基片温度为650摄氏度时,矫顽力最大,Hc=1244.7 Oe。
出处
《产业与科技论坛》
2020年第14期63-64,共2页
Industrial & Science Tribune
基金
国家自然科学基金(编号:51302019)
吉林省科技厅科学技术研究项目(编号:20180520222JH)
吉林省产业技术研究与开发项目(编号:2018C043-3)
吉林省教育厅“十三五”科技项目(编号:JJKH20191195KJ)研究成果
