新型二维半导体异质结GeSe/GeS光电性质的理论研究

文章将运用基于密度泛函理论的第一性原理方法分析二维GeS和GeSe纳米片结构的稳定性、能带结构和光学性质等,并进一步探讨应变对其能带结构和光电性质的影响,解析物理机理。首先,构建不同构型的GeSe/GeS异质结材料,进行筛选,得到能量最稳定的构型进行计算分析。GeSe/GeS异质结为间接带隙二维半导体材料,对于紫外光有较强的吸收效果,对于可见光也有比较好的吸收能力。对材料施加不同程度的应变发现,应变能够改变材料对波长为500 nm的可见光和紫外光的光吸收能力。