具有复合最后一层势垒的A1GaN基深紫外发光二极管的制备及特性研究

文章对具有新研发的、由常规的未掺杂的最后一层量子势垒(u-LQB)和p型掺Mg最后一层量子势垒(p-LQB)构成的复合最后一层量子势垒(CLQB)的AlGaN基深紫外发光二极管(DUV-LED)进行了深入研究。研究结果表明,通过插入p-LQB并形成具有精心优化的Mg掺杂水平的CLQB,可显著提高DUV-LED的光输出功率。基于此成果,在使用优化的Mg掺入量下成功制备了输出功率较高的DUV-LED。在40 mA的注入电流下,与未插入p-LQB的样品相比,具有优化的p-CLQB的AlGaN基DUV-LED的光输出功率增加了约30%。此外,基于电致发光和光致发光谱表征结果,揭示了DUV-LED光输出功率获得显著改善的主要原因在于电子泄漏的减少和CLQB的采用所引起的空穴注入效率的提高。