Ni掺杂ZnO纳米棒阵列膜的增强紫外光电响应

0引言氧化锌(ZnO)具有宽禁带宽度(Eg=3.37 eV)和高激子结合能(E=60 meV),是一种传统的金属氧化物半导体材料[1]。ZnO具有较好的热稳定性[2]、高载流子迁移率[3]、高热导率[4],以及低热膨胀系数[5],特别是高激子结合能,使其在LED[6]、气敏传感器[7]、太阳能电池[8]、光探测器[9]等光电子器件上得到广泛的应用。