摘要
非晶硅与底材晶体硅之间的界面钝化功能是异质结太阳能电池取得高的开路电压的关键原因。 氢等离子处理可以饱和非晶硅中的悬挂不饱和键, 从而提高界面钝化的效果。 本研究利用工业大规模生产的PECVD反应腔作为平台,通过量测非晶硅氢等离子钝化后的少子寿命来表征不同实验条件下的钝化效果差异。然后,我们利用成熟的异质结太阳能电池生产线作为基础,分析研究不同氢等离子钝化条件下异质结电池的太阳转化效率来筛选最佳的工艺条件。在最佳工艺条件下,获得了太阳能硅片双面钝化后742mV的Imp Voc, 以及734mV的异质结太阳能电池片开路电压。
