摘要
晶体生长(crystal growth)在各种材料的合成和应用中起到关键作用,人工合成晶体涉及生产生活各个方面并且其方式在不断进步,原理是基于物种晶相化学势与该物种在相关物相中化学势间准平衡关系维持在合理的水平。如在溶液中的晶体生长要求在平衡溶解度附近溶质有一定适宜的过饱和度。控制晶体生长已得到材料的最高强度有两种截然不同的途径:一是尽量增大位错密度,非晶态材料就可看成是位错密度极高的材料;二是尽量减少位错密度, 晶须就是这种方法的一个实例。晶体生长理论研究包括晶体成核理论、输运理论、界面稳定性理论、界面结构理论和界面动力学理论的体系。文中概述了晶体生长规律和控制晶体生长的途径及手段,以及影响晶体生长的外部因素,总结了目前常用的多种人工合成晶体的方法,并结合理论与实践做出合理展望。
