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电子级多晶硅痕量杂测影响因素综述
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摘要
痕量分析(trace analysis),样品中待测组分含量低于百万分之一的分析方法。电子级多晶硅是集成电路的关键基础材料,过去中国市场上的集成电路用多晶硅材料基本完全依赖进口。电子级多晶硅是纯度最高的多晶硅材料,相对于太阳能级多晶硅6N,电子级多晶硅的纯度要求达到11N。5000吨的电子级多晶硅中总的杂质含量相当于一枚1元硬币的重量。因此准确的痕量杂质检测数据是电子级多晶硅合格与否的判定依据。然而在实际的实验室检测过程中,对检测数据的准确性影响因素错综复杂、种类繁多。
作者
白圣玉
机构地区
江苏瑞兆科电子材料有限公司
出处
《中文科技期刊数据库(文摘版)工程技术》
2021年第4期201-201,203,共2页
关键词
痕量杂质分析
电子级多晶硅
影响因素
分类号
O657.63 [理学—分析化学]
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中文科技期刊数据库(文摘版)工程技术
2021年 第4期
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