CVD成膜温度对铝薄膜小丘生成的影响

纯铝薄膜作为金属电极在TFT-LCD中应用较广,但因其在高温制程中易诱发产出小丘,对良率造成较大影响。本文主要通过光学精密显微镜(OM)、扫描电子显微镜(SEM)和集束离子注加工装置(FIB)观察小丘形貌,利用SL点灯装置分析小丘对产品造成的不良类型,得出与常规铝穿刺绝缘层造成绝缘层断裂或互连线间短路不同,此类小丘,铝与GT绝缘膜相互卷曲包裹而形成凸起。设计不同CVD镀膜温度实验,观察小丘发生状况,当CVD成膜温度由370℃降至340℃时,可得到几乎表面无小丘的产品。