非晶硅a-Si PIN的制备及其性能研究

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摘要为了提高X-ray非晶硅PIN探测器的光电转换效率,本文研究了本征a-Si(非晶硅)的工艺参数对非晶硅PIN探测器光电转换效率的影响。本研究结果表明:本征a-Si最优的H2:SiH4流量比为12:1,Si-H键归一化(2000)值可达到3.3,所制备的本征a-Si单层膜可满足非晶硅PIN探测器性能设计的要求,在此条件下制备的非晶硅PIN光电流可达到1.39×10-5A,转换效率为67%,可满足X-ray非晶硅PIN平板探测器在在工业、航空及医疗等领域的应用。

作者方兴李广录高平羽

机构地区南京中电熊猫液晶显示科技有限公司

出处《中国科技期刊数据库工业A》 2021年第12期414-417,共4页

关键词 X-ray平板探测器本征非晶硅(a-Si) PIN 光电流转换效率

分类号 TM912 [电气工程—电力电子与电力传动]

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