摘要
应用端对功率密度要求不断提高,驱动了IGBT芯片关键尺寸的精细化发展趋势。随着沟槽CD与台面宽度进入亚微米级尺度,吸硼排磷效应显著加剧,引起阈值电压Vgeth随沟槽CD的波动幅值显著增加,严重影响芯片良率及并联应用可靠性。本文针对亚微米级精细沟槽IGBT,结合实际制造工艺,分别从单根沟槽,单个die,单个shot,单片wafer,一个批次以及多批次改善提出了包括SRAF、Hardmask、终端下沉、AF sensor调整、NA选择、lens delay、APC反馈等在内的多项CD控制技术,沟槽CD整体收敛性提高60%,相应的Vgeth收敛性提高了60%以上,很好的满足了精细沟槽IGBT产品的量产要求。
