摘要
本研究主要探讨晶体硅太阳能电池制造工业中,对无氢硅烷常压化学气相沉积SiO_(x)薄膜的有效应用。通过三组样品分析了常压化学气相沉淀 SIO_(X)薄膜内存在的结构缺陷与耐久性,室温下,在热板中开展退火实验,对比常压化学气相沉淀 SIO_(X)薄膜在1%HF溶液与1.5%KOH的腐蚀速率和未退火样品,从而明确耐受腐蚀溶液的温度最低值。研究结果显示,化学气相沉淀 SIO_(X)中的PERC细胞正面涂层区并没有寄生镀层出现,且未检测到划痕和镀金痕迹,金字塔更未检测出金属颗粒,因此该技术能够被应用于晶体硅太阳能电池制造中。
