管式LPCVD制备的多晶硅钝化接触结构性能研究

本文通过管式LPCVD在工业大面积n型硅衬底上沉积本征非晶硅,然后通过高温磷扩散对多晶硅层进行掺杂和晶化后,分析了沉积温度,SiH4流量比和磷扩散退火等参数对多晶硅层的表面形貌,沉积速率,掺杂浓度,钝化性能等的影响。这项工作证明了管式LPCVD制备的掺杂多晶硅具备优异的钝化质量,对于通过n+掺杂的多晶硅和SiOx叠层钝化的对称测试样品,获得的单面饱和电流密度(J0)值低至4.22 fA/cm2,隐含开路电压(iVoc)高达742 mV。