光栅制备工艺探究

通过理论推导得到了不同形貌光栅的耦合系数公式,得出光栅不同物理参数对激光器耦合系数的影响,为器件的优化提供了理论支撑。采用全息光刻方法和干法刻蚀工艺在GaInP/InGaAsP体系中制备出了刻蚀倾角陡直、表面粗糙度低的光栅图形。全息光刻后的光栅占空比约0.5,通过优化CH4/H2/Ar的气体配比有效提升了刻蚀选择比,保证了刻蚀后光栅的占空比。同时降低RF功率,降低了刻蚀速率,提升了工艺的稳定性和重复性。