碳化硅晶圆的清洗工艺研究

随着碳化硅功率芯片的线宽要求越来越高,污染物对晶圆和器件的影响也愈发突出,以致于洁净表面的清洗技术日益重要。本文借鉴传统的硅片清洗方法,开发了碳化硅晶圆的清洗工艺,并介绍了常用的晶圆清洗方法。其中湿法清洗占主流地位,湿法清洗工艺多采用RCA标准清洗法,配合一些基于物理的清洗方式如超声波、兆声波,流体射流、毛刷等,可满足大多数晶圆片的清洗要求。对于湿法清洗,常用清洗设备为槽式多片清洗机和单片清洗机等。掌握晶圆片清洗工艺技术是碳化硅晶圆产品开发中的关键环节。