摘要
随着集成电路器件集成度的提高,晶圆尺寸和表面布线层数不断增加,特征尺寸不断减小,对晶圆表面的平整度提出了更高要求。作为唯一可以实现全局平坦化的方法,化学机械抛光(Chemical-Mechanical Polishing,CMP)成为晶圆制造过程的重要工艺。在各部件和化学品的协同作用下,化学机械抛光质量受到多个因素影响,介绍了抛光液和抛光终点检测(Endpoint detection,EPD)技术的研究新进展,着重阐述了抛光液在磨粒、化学添加剂和绿色环保方面的国内外研究方向,以及终点检测方法的几种新思路,展望了化学机械抛光技术的开发方向。
