摘要
Hg(II)指的是游离的Hg2+及其不稳定的络合物,是厌氧条件下微生物将其转化为毒性更大的甲基汞的主要形式。作为一种超毒性重金属,Hg(II)可对肾脏、肝脏、免疫系统、内分泌系统以及生殖系统造成不可逆的损伤。在此文章中,以氧化石墨烯(GO)为基底,以L-半胱氨酸、钼酸铵、聚乙烯吡咯烷酮(PVP)、葡萄糖为原料,利用水热法于氧化石墨烯(GO)表面原位生长二硫化钼(MoS2)制备GO改性材料(MoS2/GO)。通过扫描电子显微镜(SEM)和x射线光电子能谱(XPS)表征得到MoS2/GO为石墨烯表面原位生长的层状放射性花状结构,对Hg(II)有较好的吸附作用且吸附后MoS2/GO有明显形态变化。MoS2/GO在较宽pH范围内对Hg(II)均有良好的吸附能力,拟二级动力学模型可以更好的描述该吸附过程,这证明MoS2/GO对Hg(II)之间的结合主要为化学作用。Freundlich模型可以很好的描述Hg(II)的吸附行为为多层吸附,PVP作为插层剂起到了一定的作用,25℃下MoS2/GO对Hg(II)的最大吸附容量为868.38 mg/g。该材料原料毒性小、MoS2层间距相对较大,对Hg(II)有着更为优异的去除能力,可较好的应用在含Hg废水处理中。
