IGBT串并联设计及寿命预测

基于绝缘栅双极型晶体管(IGBT),分析其基本参数,通过电压驱动方式,以平面变压器为基础,设计快速驱动电路,实验结果表明:IGBT集电极电流上升率(di/dt)约为10.13A/ns,提高了约8.1倍。通过分析IGBT失效模式和串并联均压均流的影响,利用瞬态抑制二极管(TVS)的特性,设计串联有源钳位电路;通过电路布局优化等方式设计并联均流电路,并进行2串2并的IGBT阵列实验,通过实验验证均流均压效果,并根据典型寿命预测模型计算Nf为124005。