摘要
伴随着微电子技术的发展,传统的硅锗半导体材料由于其自身材料特性等原因的局限性,在高温、高频、高功率以及光电等领域的应用越来越显示出其局限性。碳化硅器件以其独特的性能优势,在电力电子,光电子,电声技术和汽车电子等领域有广泛的应用前景。本论文是针对碳化硅晶片电特性测试过程中,局部放电检测与定位所遇到的问题而展开的。首先介绍了SiC晶片的电学特性,并讨论了局放效应对SiC晶片的影响。接着分析了非侵入式局部放电检测方法,并对定位法中的信号处理法及侵入式法进行了分析。最后,对全文进行了总结,并对未来的发展进行了展望。
