摘要
制备出用氧族非金属元素Te替换部分镧所生成的锰氧化物新材料;La_(1-x)Te_xMnO_3(x=0.04,0.1)。研究表明该材料具有空间群R3C结构,Te为正四价态。电阻率温度关系给出其存在金属-半导体转变特性,具有庞磁电阻效应(CMR),x=0.1成分的磁电阻变化率在4T作用下为51%。此外,还观察到该材料在低温下的自旋玻璃态行为。
出处
《科学通报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2003年第11期1139-1142,共4页
Chinese Science Bulletin
基金
重点基础研究发展规划资助项目(批准号:G1998061412).