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高速率生长c-BN薄膜 被引量:2

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摘要 立方氮化硼(c-BN)类似于金刚石具有许多优异的化学和物理特性,例如它有高硬度(仅次于金刚石)、高热导率、良好的电绝缘性和宽带隙.立方氮化硼的分子结构和金刚石基本上相同,但它有更好的耐氧化性、耐热性和化学稳定性.所以c-BN可广泛用于电子、光学、机械、热沉、光电开关、工具及耐热、耐酸、耐蚀涂层等方面.特别是c-BN和Si单晶之间的晶格失配小于5%,可制备出性能良好的异质外延c-BN,为高温。
机构地区 兰州大学物理系
出处 《科学通报》 EI CAS CSCD 北大核心 1995年第13期1184-1186,共3页 Chinese Science Bulletin
基金 国家自然科学基金资助项目
  • 相关文献

参考文献2

二级参考文献3

  • 1王万录,Phys Stat Sol A,1991年,126卷,K115页
  • 2王万录,物理学报,1987年,36卷,1529页
  • 3田民波,薄膜科学与技术手册.下,1991年

共引文献7

同被引文献26

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  • 2王宏,廖克俊.热灯丝辅助射频等离子体CVD法生长立方氮化硼薄膜的研究[J].薄膜科学与技术,1995,8(2):91-96. 被引量:1
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  • 9田民波.薄膜科学与技术手册.1.刘德令编译.北京:化学工业出版社,1991.860
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引证文献2

二级引证文献5

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