摘要
本文从离子敏场效应晶体管(ISFET)的传感机理出发,利用计算机辅助设计软件(SPICE)建立了ISFET的物理模型。借助此模型,对器件的电学行为进行了模拟,仿真结果与实验数据取得了良好的一致性。
This paper presents a SPICE model of Ion-sensitive field effect transistor (ISFET) based on the computer aided design tool(SPICE)Simulation results are given.
出处
《自动化技术与应用》
2007年第1期106-107,79,共3页
Techniques of Automation and Applications
关键词
器件模型
离子敏场效应晶体管
计算机辅助设计
device model
ion-sensitive field effect transistor（ISFET）
computer aided design
