脉冲激光沉积制备Al-LiNbO_3-GaN结构研究

采用脉冲激光沉积设备(PLD)在GaN(0001)晶向上成功沉积了铁电多晶膜LiNbO_3,然后采用热蒸发法在薄膜表面镀铝电极。并对制备的LiNbO_3薄膜进行XRD表征以及对金属-铁电体-半导体(MFS)结构进行了C-V表征,XRD结果表明,沉积温度对薄膜的晶化有很大的影响;C-V测量结果表明,MFS的GaN激活层在5V下就能得到反转,这是一般半导体基集成电路的要求电压。GaN基的MFS结构在GaN基场效应晶体管的实际应用中是非常有前景的。