MOS器件抗静电性能分析被引量：2

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摘要本文针对集成电路中广泛应用的MOS器件,详细分析了其静电损伤的模式和物理过程,并对其防护措施进行简单介绍。

作者王再新常天海汪志成黎曦

机构地区华南理工大学电信学院

出处《安全》 2007年第2期12-14,共3页 Safety & Security

关键词 MOS器件 ESD损伤物理过程防护措施

分类号 TN386 [电子电信—物理电子学]

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