MEMS与SOI CMOS单片集成的模拟研究
IC Simulations of the On-chip Integration for SOI CMOS and MEMS
摘要
基于MEMS技术和SOI CMOS技术提出了一个包含放大电路与悬臂梁式压阻传感器的集成化方案.分析了半耗尽SOI CMOS和全耗尽SOI CMOS的器件性能,设计了特征尺寸为3μm的半耗尽SOI CMOS模拟放大电路和悬臂梁式压阻传感器的单片集成工艺.通过对器件、电路和工艺的模拟与仿真,证明了本集成化方案的可行性.
出处
《中国机械工程》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2005年第z1期315-317,共3页
China Mechanical Engineering
基金
国家自然科学基金资助项目(90207013)
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