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PECVD SiC薄膜的应力控制及抗腐蚀特性研究 被引量：2

Stress Control and Anti-erosion Characteristics of PECVD SiC Thin Film
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摘要 运用低温的PECVD方法进行了SiC薄膜的制备,通过改究工艺参数对SiC薄膜应力的影响,制备出低应力的SiC薄膜.研究了退火工艺、离子注入工艺对薄膜应力的影响,使得薄膜应力可控制,将无定形态的SiC变成微晶态SiC;解决了厚膜在高温退火下破裂的问题,将SiC薄膜的电阻率降低到10Ω·cm的量级.对SiC的抗腐蚀特性进行了研究,对比了多种湿法、干法对SiC的腐/刻蚀速率.成功地将制备的低应力SiC薄膜用于MEMS器件的抗腐蚀保护.
作者 郭辉 王煜 张海霞 田大宇 张国炳 李志宏
机构地区 北京大学
出处 《中国机械工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第z1期346-348,共3页 China Mechanical Engineering
基金 北京市自然科学基金资助项目(4052017)
关键词 微机电系统 碳化硅 等离子体增强化学气相淀积 薄膜 应力 离子注入 抗腐蚀
分类号 TN405 [电子电信—微电子学与固体电子学]
  • 相关文献

参考文献4

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  • 2[2]Garcon I, Rouault A. Growth of SiC Single-crystal Sublimation Growth Conditions. Materials Science & Engineering B, 1995,29 (1 - 3): 90～ 93
  • 3[3]Wuu D S, Horng R H, Chan C C, et al. Plasmadeposited Amorphous Silicon Carbide Films for Micromachined Fluidic Channels. Applied Surface Science, 1999,144(1) :708～712
  • 4[4]Ledermann N, Baborowski J, Sputtered Silicon Carbide Thin Films as Protective Coating for MEMS Applications. Surface and Coatings Technology, 2000,125 (1- 3): 246～250

同被引文献7

引证文献2

二级引证文献4

中国机械工程
2005年 第z1期

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