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集成硅纳米线制造技术及其电学性质研究 被引量:1

Silicon Nanowires Fabricated by MEMS Technology
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摘要 采用传统MEMS工艺,利用精巧的结构设计和准确的工艺控制,制作出一种新型的、在芯片上可集成的、直径可控的硅纳米线,对其形貌和电学特性进行了初步测试和讨论.纳米线的直径达到50nm以下,长度为3~15μm,两端固支,底部悬空.电学测试结果表明,硅材料的表面活性很高,由于比表面积的增大,硅纳米线哌的电学特性受表面态的影响非常大.新鲜表面的硅纳米线与暴露在空气中一定时间的纳米线的I-V特性有着明显的不同.
出处 《中国机械工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第z1期365-367,共3页 China Mechanical Engineering
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同被引文献3

引证文献1

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