摘要
采用双晶片探头和电子天平对PZT微力传感器进行静态力标定,进而利用双晶片探头和电荷放大器对PZT微力传感器进行准静态标定,微小信号检测通过锁相放大器来实现.PZT薄膜在基体Pt/Ti/SiO2/Si<100>上用溶胶-凝胶法制备,然后在600℃下退火.PZT微力传感器完全由MEMS体硅加工工艺来实现.
出处
《中国机械工程》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2005年第z1期372-374,共3页
China Mechanical Engineering
基金
国家自然科学基金资助项目(90207003,50305001)