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金硅共晶键合在微机械Golay-cell红外探测器中的应用 被引量：1

Au/Si Eutectic Bonding Application for Micromachining Golay-cell Infrared Detector
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摘要 利用硅微机械加工技术制备微机械Golay-cell红外探测器硅可动敏感薄膜,探测器气室由带薄膜结构硅片与带孔结构硅片键合密闭形成,气室中敏感气体吸收红外辐射而膨胀,使硅膜产生形变,借助硅膜电极板与金属电极板形成的平行板电容反映该形变变化量.运用Si/Ti/Au/Au/Ti/Si实现对探测器的金/硅共晶键合封装,形成气室,制备出探测器样品并初步得到响应.该键合方法能够进行选择区域键合,实验证明键合强度达到体硅强度.
作者 赵林林 徐晨 杨道虹 霍文晓 赵慧 沈光地
机构地区 北京工业大学
出处 《中国机械工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第z1期419-421,共3页 China Mechanical Engineering
基金 北京市教委资助项目(KM200310005009)
关键词 微机电系统 红外探测器 金/硅 共晶键合
分类号 TN215 [电子电信—物理电子学]
  • 相关文献

参考文献5

  • 1[1]Lsaky J B. Wafer Bonding for Silicon-on-insulator Technologies. AppliedPhysics Letters, 1986,48:78～80
  • 2[2]Tong Qinyi. Low Temperature Wafer Direct Bonding. Journal of MicroElectroMechanical Systems,1994,31:29～35
  • 3[3]Cheng Y T, Lin Liwei. Localized Silicon Fusion and Eutectic Bonding for MEMS Fabrication and Packaging. Journal of MicroElectroMechanical Systems, 2000,9:3～8
  • 4[4]Thompson K, Yogesh B,Chandani G. Direct Silicon-silicon Bonding by Electromagnetic Induction Heating. Journal of MicroElectroMechanical Systems, 2002,11: 285 ～ 292
  • 5[5]Niklaus F, Andersson H, Enoksson P,et al. Low Temperature Full Wafer Adhesive Bonding of Structure Wafer. Sensors and Actuators A, 2001,92:235～241

同被引文献2

引证文献1

二级引证文献5

中国机械工程
2005年 第z1期

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