期刊文献+

一种适用于薄膜结构的静电键合方法

A Electrostatics Bonding Approach Suitable to Film Structures
下载PDF
导出
摘要 针对带弹性敏感薄膜结构的微机械器件的硅/玻璃静电键合,介绍了一种有效的方法--局部电场屏蔽法,在键合过程中屏蔽弹性敏感薄膜所在位置的电场,使薄膜结构不受静电力的影响,从根本上解决了薄膜受静电吸引力而产生形变,与玻璃贴合甚至破裂的问题,大大提高了成品率.
机构地区 北京工业大学
出处 《中国机械工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第z1期430-431,共2页 China Mechanical Engineering
基金 北京市教委资助项目(KM200310005009)
  • 相关文献

参考文献3

二级参考文献28

  • 1焦继伟,陆德仁,王渭源.低温SDB技术研究及硅表面吸附态的影响[J].Journal of Semiconductors,1994,15(11):795-798. 被引量:2
  • 2Tong Q Y,J Electrochem Soc,1996年,143卷,5期,1773页
  • 3Chan WK,Science,Technology and Applicationsthe Electrochemical Society Inc,1991年,91卷,7期,133页
  • 4Delapierre G. MEMS and microsensors, from laboratory to commercialization [A]. Proceeding of 10th Internationa Conference on Solid-State Sensors and Actuators[C], Transsducers '99, Sendai, Japan, Paper Number 1A2, 1999
  • 5Senturia S T, Smith R L. Microsensor packaging and system partitioning [J]. Sensors and Actuators, 1988,15:221 ~234
  • 6Tabat O, Shimaoka K, Asashi R, et al. Micromachined sensors using polysilicon sacrificial etching technology [J]. Sensors Materials, 1996, (8): 57~67
  • 7Gieles A C M, Somers G H J. Miniature pressure transducer with silicon diaphragm [J]. Philips Tech Rev 1973, 33: 14; Tufte O N, Chapman P W, Long D.Silicon diffused element piezoresistive diaphragms [J]. J Appl Phys, 1962, 33: 322; Clark S K, Wise K D.Pressure sensitivity in anisotropically etched thin-diaphragm pressure sensors [ J ]. IEEE Trans Electron Devices, 1979, ED-26:1887
  • 8Ko W H, Suminto J T, Yeh G J. Micromachining and micropackaging of transducers [M]. Elesevier Science Publishers, 1985
  • 9Walls G, Pomerantz D. Field assisted glass-metal sealing [J]. J Appl Phys, 1969, 40:3946~3949
  • 10Esashi M, Sugiyama S, Ikeda K, et al. Vacuum-sealed silicon micromachined pressure sensors [ J ]. Proc IEEE,1998, 86:1627~1639

共引文献10

相关作者

内容加载中请稍等...

相关机构

内容加载中请稍等...

相关主题

内容加载中请稍等...

浏览历史

内容加载中请稍等...
;
使用帮助 返回顶部