基于GMR纳米薄膜的磁场传感器研究

Investigation of Magnetic Field Sensor Base on GMR Nano-Thin-Film

下载PDF

导出

摘要通过高真空磁控溅射、离子束刻蚀、光刻、铝引线溅射、正胶剥离等工艺,制造了用GMR纳米薄膜作为核心部分的磁场传感器.经过退火工艺后的GMR薄膜的磁电阻变化率为7.91%,矫顽力为0.054π×103A/m(0.05Oe).用这种GMR薄膜制备的磁场传感器的线性区域为-154π×103～154π×103A/m,输出线性度为0.9993.这种高线性度的磁场传感器在汽车工业和自动化控制系统等领域中起到举足轻重的作用.

作者刘华瑞欧阳可青任天令曲炳郡李伟刘理天

机构地区清华大学

出处《中国机械工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第z1期127-129,共3页 China Mechanical Engineering

关键词 GMR GMR传感器退火矫顽力

分类号 TM936 [电气工程—电力电子与电力传动]

引文网络
相关文献

参考文献4

1[1]Baibich M N, Broto J M, Fert A, et al. Giant Magnetoresistance of ( 001 ) Fe/(001 ) Cr Magnetic Superlattices. Phys Rev Lett, 1988, 61(21): 2472～2475
2[2]Childress J R, Carey M J, Wilson R J, et al. IrMn Spin- valve for High Density Recording. IEEE Trans. Magn. , 2001, 37(4): 1745～1748
3[3]Giebeler C, Adelerhof D J, Kuiper A E T, et al.Robust GMR Sensors for Angle Detection and Rotation Speed Sensing. Sens Actuators A, 2001, 91(1): 16～20
4[4]Lessen K M H, Adelerhof D J, Gassen H J, et al.Robust Giant Magnetoresistance Sensors. Sens Actuators A, 2000, 85(1): 1～8

1程政,赵兴荣,周方桥,郝建华,麦哲洪.离子束刻蚀YBCO超导薄膜[J].低温与超导,1993,21(3):27-31.
2谈龙成,李耀华,王平,徐伟.适用于电流型变流器的空间矢量过调制策略[J].中国电机工程学报,2008,28(15):39-43. 被引量：7
3LDO是什么？[J].电子质量,2009(2):22-22.
4何金良,嵇士杰,刘俊,胡军,王善祥.基于巨磁电阻效应的电流传感器技术及在智能电网中的应用前景[J].电网技术,2011,35(5):8-14. 被引量：37
5杨超,沈鸿烈,吴京波,陈海力,江丰,李斌斌.背面刻蚀对单晶硅太阳电池性能影响的研究[J].电子器件,2011,34(2):125-128.
6朱名日,温佩琳.NdFeB磁粉用于提高磁性编码器的分辨率可行性探讨[J].稀土,2004,25(6):22-25.
7高扬华,张光新,黄平捷,侯迪波,范孟豹,周泽魁.基于GMR传感器的电涡流检测系统关键技术研究[J].传感器与微系统,2009,28(11):31-33. 被引量：5
8任清褒,朱维婷.磁电阻材料及其应用的研究进展[J].材料科学与工程,2002,20(2):302-305. 被引量：5
9刘鹏,李伟,刘华瑞,叶双莉,任天令,刘理天.低矫顽力GMR磁传感器的自旋阀结构研究[J].传感技术学报,2006,19(05B):2061-2064. 被引量：4
10杜方芳,祝长生.电涡流传感器前置器的参数对测量系统特性的影响[J].电工技术,2004(9):64-66. 被引量：6

中国机械工程

2005年第z1期

浏览历史

内容加载中请稍等...

基于GMR纳米薄膜的磁场传感器研究

参考文献4

相关作者

相关机构

相关主题

浏览历史