SiH2Cl2-NH3-N2体系热壁LPCVD Si3N4膜工艺研究

Technical research of Si3N4 film in SiH2Cl2-NH3-N2 system prepared by LPCVD

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摘要介绍了利用SiH2Cl2-NH3-N2体系LPCVD制备Si3N4薄膜的工艺,借助椭圆偏振仪研究了薄膜的厚度及折射率.结果表明:当原料气中氨气与二氯甲硅烷的流量之比(R)较小时(R≤2),获得富Si的Si3N4薄膜,折射率较高.当氨气远远过量时(R＞4),折射率处于1.95～2.00之间.在适当的工艺条件下,获得的Si3N4薄膜表面均匀、平整,折射率达到理想值.

作者谭刚吴嘉丽

机构地区中国工程物理研究院

出处《光学精密工程》 EI CAS CSCD 2004年第z1期318-321,共4页 Optics and Precision Engineering

关键词二氯甲硅烷-氨体系 LPCVD 氮化硅薄膜折射率

分类号 O484.1 [理学—固体物理]

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