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电子和中子辐照n型6H-SiC的光致发光谱

Photoluminescence of Electron-and Neutron-Irradiated n-Type 6H-SiC
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摘要 对用电子能量为1.7,0.5和0.4MeV的电子辐照和中子辐照后的n型6H-SiC样品进行低温光致发光研究.对于Ee≥0.5MeV电子辐照和中子辐照后的样品,首次发现了位于478.6/483.3/486.1n m的S1/S2/S3谱线.对样品进行热退火研究表明S1/S2/S3谱线在500℃下消失,而退火温度高于700℃时D1中心出现.考虑到产生C空位和Si空位所需的位移阈能以及热退火行为,说明S1/S2/S3为初级Si空位初级缺陷,而D1中心为二次缺陷.
作者 钟志亲 龚敏 王鸥 余洲 杨治美 徐士杰 陈旭东 凌志聪 冯汉源 Beling C D
机构地区 四川大学物理科学与技术学院
出处 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第z1期11-14,共4页 半导体学报（英文版）
基金 国家自然科学基金资助项目(批准号:60076010) Project supported by the National Natural Science Foundation of China (No. 60076010)
关键词 6H-SIC 辐照 LTPL 缺陷
分类号 TN304.2 [电子电信—物理电子学]
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参考文献16

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Journal of Semiconductors
2006年 第z1期

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