EM NMOST和AM PMOST组合TF SOI CMOS非门下降时间的温度模型

A Model of the Temperature Dependence of the Fall Time of a TF SOI CMOS Inverter with EM NMOST and AM PMOST Assemblies at 27～300℃

详细介绍了EM NMOST和AM PMOST组合的TF SOI CMOS非门下降时间的温度电学模型建立过程.分别进行了27,100,150,250,250,300 ℃的非门瞬态特性实验.实验结果表明,EM NMOST和AM PMOST组合的TF SOI CMOS非门的下降时间随温度升高稍有增加,非常适合于高温应用.如果对其进行优化设计,有利于改善其上升-下降时间温度特性的对称性,提高其最高工作频率.