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InxGa1-xN合金薄膜In的表面分凝现象 被引量：1

Investigation of Indium Surface Segregation in InxGa1-xN Films
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摘要 用MOCVD方法在α-Al2O3(0001)衬底上外延生长了InxGa1-xN合金薄膜.测量结果显示:所制备的InxGa1-xN样品中In的组分随外延生长温度而改变,生长温度由620℃升高到740℃,In的组分由0.72降低到0.27.这是由于衬底温度越高,In进入InxGa1-xN薄膜而成键的效率越低.样品的X射线衍射谱和X射线光电子能谱均显示:在生长温度为620℃和690℃时所生长的InxGa1-xN样品中均存在明显的In的表面分凝现象;而生长温度升至740℃时所得到的InxGa1-xN样品中,In的表面分凝现象得到了有效抑制.保持生长温度不变而将反应气体的Ⅴ/Ⅲ比从14000增加到38000,In的表面分凝现象也明显减弱.由此可以认为,较高的生长温度使得In原子的表面迁移能力增强,In原子从InxGa1-xN表面解吸附的几率增大,而较高的Ⅴ/Ⅲ比则能增加N与In成键几率,从而有利于抑制In的表面分凝.
作者 刘成祥 谢自力 韩平 刘斌 李亮 符凯 周建军 叶建东 文博 王荣华 张禹 陈敦军 江若琏 顾书林 施毅 张荣 郑有炓
机构地区 南京大学物理系
出处 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第z1期97-100,共4页 半导体学报（英文版）
基金 国家重点基础研究发展规划(批准号:G2000068305),国家高技术研究发展计划(批准号:2004AA311080),国家自然科学基金(批准号:60476030),优秀创新研究群体科学基金(批准号:60421003),高等学校博士学科点专项科研基金(批准号:20050284004)和江苏省自然科学基金(批准号:BK2003203)资助项目
关键词 InxGa1-xN合金薄膜 表面分凝 Ⅴ/Ⅲ比
分类号 TN304.2+6 [电子电信—物理电子学]
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引证文献1

二级引证文献2

Journal of Semiconductors
2006年 第z1期

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