摘要
采用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)方法生长六方相InN薄膜,利用氮化镓(GaN)缓冲层技术制备了高质量薄膜,得到了其能带带隙0.7eV附近对应的光致发光光谱(PL).通过比较未采用缓冲层,同时采用低温和高温GaN缓冲层,以及低温GaN缓冲层结合高温退火三种生长过程,发现低温GaN缓冲层结合高温退火过程能够得到更优表面形貌和晶体质量的InN薄膜,同时表征了材料的电学性质和光学性质.通过对InN薄膜生长模式的讨论,解释了薄膜表面形貌和晶体结构的差异.
基金
国家重点基础研究发展规划(批准号:G2000068305),国家高技术研究发展规划(批准号:2004AA311080,2003AA311060,2001AA311110),国家自然科学基金(批准号:60476030,60390070,60136020),优秀创新研究群体科学基金(批准号:60421003)和江苏省自然科学基金重点(批准号:BK2003203)资助
