4H-SiC钒离子注入层的特性

Characteristics of Vanadium Ion-Implanted Layer of 4H-SiC

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摘要研究了钒注入4H-SiC形成半绝缘层的方法和特性,注入层的离子浓度分布由蒙特卡罗分析软件TRIM模拟提取.采用一种台面结构进行I-V测试.钒注入层的电阻率与4H-SiC层的初始导电类型关系很大,常温下钒注入p型和n型SiC的电阻率分别为1.2×109～1.6×1010 Ω·cm和2.0×106～7.6×106 Ω·cm.

作者王超张玉明张义门

机构地区西安电子科技大学微电子学院

出处《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第z1期120-123,共4页 半导体学报（英文版）

基金国家自然科学基金(批准号:60376001),国家重点基础研究发展规划(批准号:2002CB311904)和国防科技重点实验室基金(批准号:51432040103D0102)资助项目

关键词碳化硅半绝缘钒离子注入

分类号 TN304.2 [电子电信—物理电子学]

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1[1]Yang Linan,Zhang Yimen,Yu Chunli.A compact model describing the effect of p-buffer layer on the I-V characteristics of 4H-SiC power MESFETs.Solid-State Electron,2005,49:517
2[2]Pensl G,Choyke W J.Electrical and optical characterization of SiC.Physica B:Condens Matter,1993,185 (1):264
3[3]Hobgood H M,Barrett D L,McHugh J P,et al.Large diameter 6H-SiC for microwave device applications.J Cryst Growth,1994,137(1):181
4[4]Bickermann M,Hofmann D,Straubinger T L,et al.On the preparation of semi-insulating SiC bulk crystals by the PVT technique.Appl Surf Sci,2001,184:84
5[5]Kimoto T,Nakajima T,Matsunami H,et al.Formation of semi-insulating 6H-SiC layers by vanadium ion implantations.Appl Phys Lett,1996,69(8):1113
6[6]Tamulaitis G,Yilmaz I,Shur M S,et al.Carrier lifetime in conductive and vanadium-doped 6H-SiC substrates.Appl Phys Lett,2004,84(3):335
7[7]Lauer V,Bremond G,Souifi A,et al.Electrical and optical characterisation of vanadium in 4H and 6H-SiC.Mater Sci Eng,1999,B61/62:248
8[8]Jenny J R,Skowronski M,Mitchel W C,et al.On the compensation mechanism in high-resistivity 6H-SiC doped with vanadium.J Appl Phys,1995,78 (6):3839
9[9]Mitchel W C,Perrin R,Goldstein J,et al.Fermi level control and deep levels in semi-insulating 4H-SiC.J Appl Phys,1999,86(9):5040
10[10]Jenny J R,Skowronski J,Mitchel W C,et al.Deep level transient spectroscopic and Hall effect investigation of the position of the vanadium acceptor level in 4H and 6H SiC.Appl Phys Lett,1996,68 (14):1963

1王超,张玉明,张义门.钒注入4H-SiC半绝缘特性的研究[J].Journal of Semiconductors,2006,27(8):1396-1400. 被引量：1
2王超,张义门,张玉明,谢昭熙,郭辉,徐大庆.钒注入制备半绝缘SiC的退火效应(英文)[J].电子器件,2008,31(3):770-775.
3张通和,吴瑜光.钒离子注入硅合成硅化钒薄层[J].微细加工技术,2000(1):21-25.
4刘欣,唐振方,叶勤,吴奎,张楠.钒离子注入改进Pilkington自洁玻璃材料的亲水性研究[J].材料导报,2006,20(2):137-139. 被引量：4
5徐学珍,陈熙基,姜腾雨,田惠琴,李群英,李玉明,殷绩民,张敏.提高Nd∶YAG晶体中Nd3+离子浓度分布均匀性的研究[J].人工晶体学报,1998,27(3):233-236. 被引量：3
6王超,张义门,张玉明,王悦湖,徐大庆.Deep Level Transient Fourier Spectroscopy and Photoluminescence of Vanadium Acceptor Level in n-Type 4H-SiC[J].Journal of Semiconductors,2008,29(2):240-243.
7王超,张义门,张玉明,郭辉,徐大庆,王悦湖.Formation of Nickel Based Ohmic Contact to High Energy Vanadium Implanted n-Type 4H-SiC[J].Journal of Semiconductors,2007,28(11):1701-1705.
8张玉明,张义门,罗晋生.6H-SiC MOS场效应晶体管的研制[J].固体电子学研究与进展,2000,20(1):1-6. 被引量：2
9刘雪明,张明德,孙小菡.熔融石英的热及电场诱导模型[J].物理学报,2000,49(3):538-543. 被引量：6
10王守国,张义门,张玉明.4H-SiC离子注入层的欧姆接触的制备(英文)[J].电子科技大学学报,2003,32(2):203-206. 被引量：2

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