离子注入诱导下制备薄的高弛豫SiGe

Thin Highly-Relaxed SiGe Induced by Ion Implantion into the Epitaxial Substrates

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摘要通过离子注人硅衬底,在表面引入缺陷,诱导超高真空化学气相沉积(UHV/CVD)生长的外延SiGe发生驰豫,以制备薄的高弛豫SiGe.利用微区Raman和Tapping AFM技术,对所生长的SiGe材料进行了表征.结果表明,上述方法能够制备厚度为100nm、弛豫度达94%的大面积(直径为125mm)均匀SiGe材料.然而,相同条件下,如果高能离子直接辐照SiGe层,将极大地损坏外延材料的晶体结构,得到多晶SiGe.此外,还通过选择性腐蚀外层SiGe的实验,对相关微观机制进行了研究.

作者许向东郭福隆周卫刘志弘张兆健李希有张伟钱佩信

机构地区清华大学微电子学研究所

出处《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第z1期140-143,共4页 半导体学报（英文版）

关键词弛豫SiGe UHV/CVD 离子注入

分类号 TN304 [电子电信—物理电子学]

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