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超薄Ru/TaN双层薄膜作为无籽晶铜互连扩散阻挡层

Ultra-Thin Ru/TaN Bi-Layer as Diffusion Barrier to Seedless Copper Interconnect
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摘要 研究了钌(Ru)/氮化钽(TaN)双层结构对铜的扩散阻挡特性,在Si(100)衬底上用离子束溅射的方法沉积了超薄Ru/TaN以及Cu/Ru/TaN薄膜,在高纯氮气保护下对样品进行快速热退火,用X射线衍射、四探针以及电流-时间测试等表征手段研究了Ru/TaN双层结构薄膜的热稳定性和对铜的扩散阻挡特性.同时还对Ru/TaN结构上的铜进行了直接电镀.实验结果表明Ru/TaN双层结构具有优良的热稳定性和扩散阻挡特性,在无籽晶铜互连工艺中有较好的应用前景.
作者 谭晶晶 周觅 陈韬 谢琦 茹国平 屈新萍
机构地区 复旦大学微电子学系ASIC及系统国家重点实验室
出处 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第z1期197-201,共5页 半导体学报（英文版）
基金 国家自然科学基金(批准号:60476010),上海市科技启明星基金(批准号:04QMX1407)及国家重点基础研究发展规划(批准号:2006CB302703)资助项目
关键词 钌 氮化钽 铜互连 扩散阻挡层
分类号 TN304 [电子电信—物理电子学]
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Journal of Semiconductors
2006年 第z1期

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