宽带隙ZnMgO的电学特性及其透明薄膜场效应晶体管

Electrical Properties of Wide Bandgap ZnMgO and Fabrication of Transparent Thin Film Transistors

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摘要首次提出了用六方相晶体结构的宽带隙ZnMgO作为薄膜场效应晶体管(TFT)的沟道层,用立方相ZnMgO纳米晶体薄膜作为栅绝缘层,在实验中用透明的ITO导电玻璃作为衬底,通过连续沉积六方和立方相结构的纳米ZnMgO晶体薄膜,并通过光刻、电极工艺等,研制了透明的ZnO基TFT,TFT的电流开关比达到104,场效应迁移率为0.6cm2/(V·s).在偏压2.5MV/cm下漏电流为10-8A.

作者吴惠桢梁军劳燕锋余萍徐天宁邱东江

机构地区中国科学院上海微系统与信息技术研究所浙江大学物理系

出处《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第z1期218-222,共5页 半导体学报（英文版）

基金上海市纳米科技计划(批准号:035NM092)和国家自然科学基金(批准号:10174064,60676003)资助项目

关键词立方相和六方相ZnMgO 薄膜场效应晶体管电学特性

分类号 TN304.2+1 [电子电信—物理电子学]

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