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掩埋隧道结在长波长VCSEL结构中的应用 被引量：3

Application of Buried Tunnel Junction in Long-Wavelength VCSEL Structure
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摘要 采用气态源分子束外延技术在InP(100)衬底上分别生长了δ掺杂的p+-AlIn-As-n+-InP和p+-InP-n+-InP两种隧道结结构,用电化学C-V和I-V特性曲线表征了载流子浓度和电学特性,发现p+-AlInAs-n+-InP隧道结性能优于p+-InP-n+-InP隧道结.在InP(100)衬底上生长了包含p+-AlInAs-n+-InP掩埋隧道结和多量子阱有源层的1.3μm垂直腔面发射激光器(VCSEL)结构,测试得出其开启电压比普通的pin结VCSEL小,室温下其电致发光谱波长为1.29μm.
作者 刘成 吴惠桢 劳燕锋 黄占超 曹萌
机构地区 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 中国科学院研究生院
出处 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第z1期309-313,共5页 半导体学报（英文版）
基金 国家重点基础研究发展计划资助项目(批准号:2003CB314903)
关键词 隧道结 垂直腔面发射激光器 光电特性
分类号 TN248.4 [电子电信—物理电子学]
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参考文献10

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同被引文献58

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引证文献3

二级引证文献1

Journal of Semiconductors
2006年 第z1期

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